滚珠开关先进的电力电子发布新的四氮和磷通道场效电晶体

先进的电力电子宣布新的四互补的N - p沟道mosfet,增强模式,目标全桥的应用程序如伺服和直流电机。

 

说简单到可以驱动与低电阻,AP9930GM-HF-3可用设备在一个标准所以8包中常用的表面组装工业设计。滚珠开关

 

n沟道绩效评级包括:漏源极开通电压(VDS)30 v;RDS()的33 mΩ;连续漏电流(ID)5.5的。对于p沟道,VDS是-30 v,RDS(在)是55 mΩ和ID是-4.1。滚珠开关

 

这个包是无卤和符合两电流RoHS,达到环保要求的危险物质。滚珠开关

 

拉尔夫Waggitt评论,总裁和CEO,先进的电力电子公司(美国):“这些新四场效电晶体提供设计师的最佳组合的快速交换、低电阻和成本效益。”