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拨码开关三星NAND内存低于nm花
发布者: 发布时间:2012/11/22 0:56:55 阅读:

拨码开关三星NAND内存低于nm花

 

伦敦——三星电子有限公司已表示,它已经开始制造64 gbit NAND内存ICs使用soi类过程的技术,这是用最小的几何形状介于10 -和19 nm制程。芯片在64年被卖——千兆字节嵌入式多媒体卡(eMMC),进入生产上个月,三星的州。拨码开关

 

10 nm类技术为基础的NAND还兼容64 gbit多层陶瓷与非使用2 x nm过程,三星在5月开始提供。然而,1 x纳米设备制造业的劳动生产率提高了30%,三星说。

 

使用一个高速接口的eMMC以30%的优势在性能eMMC 4.5接口。新的高速eMMC将提交给该行业标准组织JEDEC,(联合电子设备工程委员会)收养作为一个行业标准在2013年,三星说。拨码开关

 

64 - 2000年千兆字节eMMC Pro类措施11.5毫米的13毫米,代表的大小会减少20%超过传统的嵌入式内存形式因素的12毫米,16毫米。这应该援助设计在移动应用程序哪里有欲望走向更苗条的设计。

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