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震动开关台积电减免FinFET外事局地面
发布者: 发布时间:2012/11/27 0:12:22 阅读:

震动开关台积电减免FinFET外事局地面

 

伦敦——铸造台湾半导体制造有限公司已经举行了一次突破性的典礼外事局模块在外事局14 gigafab在南台湾科技园区在台南,台湾。这个阶段六个模块预计将台积电的第一个工厂大规模生产16 nm FinFET电路在2014年。

 

建筑的第六阶段模块正在开始仅仅七个月后,台积电(台北,台湾)动工5级。震动开关

 

构建阶段的工作六14 gigafab外事局不是由于开始直到2013年作为一个170亿美元的产能扩张计划在未来五年,据台北时报报道。

 

“这家工厂将成为世界上第一个12英寸工厂生产20纳米系统芯片和第一个16纳米FinFET芯片制造网站台积电,”该报告引述台积电联席首席运营官蒋介石商毅,说。

 

外事局14阶段5和6预计大约两倍的制造能力的第一个四个阶段通过提供一个总洁净室面积87000平方米,相当于超过11个足球场和四倍比典型的300毫米晶圆厂。震动开关

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