拨码开关威世Siliconix mosfet目标无线设备
威世Intertechnology引入了新的12 v和20 v n沟道和p沟道mosfet TrenchFET权力与业界最低的导通电阻在行业最小的CSP形式因素:0.8毫米×0.8×0.4毫米的微型脚包。
据该公司介绍,今天发布的设备将被用于电池或负荷开关在电源管理应用程序为便携式电子产品如智能手机、平板电脑和移动计算设备。
场效应管的紧凑的空间和提供概述拯救PCB超薄概要文件来启用更苗条,更轻的便携式电子产品,而他们的低电阻转化为低传导损失降低能耗和充电电池寿命更长。
这些设备的低电阻也意味着较低的电压降穿过负荷开关来防止不必要的欠压停摆。
第一次在这个形式因素,场效应管是建立在一个超高密度的技术,使用自动对准过程技术包十亿晶体管细胞到每平方英寸的硅。当结合微脚的无封装CSP技术,这提供了最低的导通电阻可能对于一个给定的轮廓面积,声称威世。
对于n沟道设备,结果是一个43 mΩ最大在电阻在4.5 V的栅极驱动的12 V Si8806DB。
当一个20 V评级是必要的,Si8812DB提供了最大的59 mΩ上阻力。拨码开关
n沟道设备的最适合高速开关应用与快速开机/关闭时报的< 100 ns,如直流/直流升压转化器的应用程序。
-20 V p沟道Si8817DB和Si8489EDB是优化了巴克转换器应用程序。
76 mΩ最大在电阻在4.5 V的栅极驱动,较小的0.8毫米×0.8×0.4毫米Si8817DB将用于应用程序空间更重要的导通电阻。拨码开关
1毫米的Si8489EDB 1毫米的时候将会使用较低的54 mΩ最大在抵抗在4.5 V更关键。
Si8489EDB是第一个p沟道的第三代装置在1毫米1毫米形式因素,它提供了2500 V典型ESD保护。
此外,Si8817DB提供在电阻评级降至1.5 V,允许设备来使用低电压门驱动器和较低的总线电压共同在手持设备,节省空间和成本的水平将电路。
这些设备都符合RoHS指令2011/65 /欧盟和无卤环保型按JEDEC JS709A定义。