滚珠开关研究人员推出20海里的圣诞树的晶体管

研究人员发现了一种新设计的铟镓砷化物晶体管,扩展了这个概念的三维电路和也报道看起来像一棵圣诞树。

 

“彼得”你们教授裴德来自普渡大学电子与计算机工程和同事捏造了20纳米晶体管从三个砷化铟镓纳米线,为更加紧凑的和有效的集成电路。滚珠开关

 

纳米线是越来越小,产生一个锥形截面像一棵圣诞树,研究建立在以往的工作中,团队创建了3 d晶体管阵列设计提供改进的性能超过传统的平面晶体管几何图形。

 

“彼得”教授裴德你们从普渡大学电子与计算机工程滚珠开关说:“叠加[晶体管)导致更多的电流和更快的操作高速计算。这增加了一个全新的维度,所以我称之为4 d”。

 

砷化铟镓是在几个iii v被研究以取代硅半导体。

 

低于22纳米硅平面晶体管布局遇到严重的问题,而一个三维非设备制作一个材料如铟镓砷化物应该适合sub-10nm部分。

 

提高晶体管密度,研究小组还研究了一个新的复合绝缘子减少电流泄漏。滚珠开关

 

使用一个dieletric层只是4 nm厚的,由铝酸镧与0.5纳米氧化铝层沉积在上面,研究小组称有捏造第一砷化铟镓晶体管和20 nm盖茨。

 

“这新的超薄介电允许我们创建晶体管由铟镓砷化物,与20 nm盖茨,这是一个里程碑”,补充说你们。“这是一个预览的东西来,在半导体行业。”

 

一个图像的晶体管不是可利用的。

 

•研究是电子设备举行的国际会议在旧金山12月8 - 12