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拨码开关英特尔细节在IEDM三栅极的进步
发布者: 发布时间:2012/12/7 0:04:49 阅读:

拨码开关英特尔细节在IEDM三栅极的进步

 

旧金山——一个野生的技术世界的自愈的记忆,类人脑的电子系统,自旋电子学的进步,逻辑在塑料,生物集成电子展开下周当领头人物在这里半导体研究降落伞一年一度的国际电子设备会议(IEDM)。拨码开关

 

第五十八届年度IEDM包括一个强大的总强调电路设备交互,能量采集和电力设备和生物医学设备、五香与有趣的主题演讲从三星(状态的艺术在显示器),IMEC(最终设备技术)和伊利诺斯州大学的(生物集成电子)。GlobalFoundries首席执行官阿午宴演讲者包括Manocha(“无生产线模型死了吗?”)和马维尔联合创始人戴威力。

 

此外,描述三栅极预收英特尔和22 nm节点从IBM实现技术,以及直接在硅锗集成在FinFETs(台积电)都列入了议程。拨码开关

 

下面是一个选择的报告强调,将呈现在周一周三会议在旧金山希尔顿酒店(和下面是一个链接到IEDM技术程序):

 

认知模式

 

神经形态——或类人脑——电子系统,模拟认知功能是研究的焦点,因为他们的潜在的复杂的任务,比如模式识别。一个技术演示的时候,一个团队从韩国光州科学与技术研究院将细节高速模式识别系统包括CMOS“神经元”和一组电阻ram(RRAM)的“突触”,它演示了所谓的高峰时间依赖性可塑性(STDP)。STDP是一种电子模拟大脑学习和记忆的机制,所以一个电子系统,准确地执行STDP可以说是“学习。“RRAM 1 - kb大小的数组有一个简单的相交点结构和可能能够扩展到4 f、理论的最小尺寸的相交点阵列。拨码开关

 

(纸# 10.2,“RRAM-Based对神经系统突触与模式识别功能,”美国公园et al,光州科学技术学院)。

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