滚珠开关台湾ReRAM嵌入在奈米制程产能逻辑过程

 

伦敦——能够嵌入电阻RAM(ReRAM)进入主流逻辑流程技术可能有重大影响,片上系统的设计,和铸造芯片制造商台湾半导体制造公司正在密切关注新兴的能力。滚珠开关

 

一种比较有趣的论文中列出的推进计划为2012年国际电子设备十二月的会议是由一个研究小组从国家清华大学(台北,台湾),也隶属于台积电。

 

抽象的论文,题为“高k金属门接触RRAM(CRRAM)在纯奈米制程产能CMOS逻辑过程,”指出一个接触RRAM(CRRAM)细胞已经意识到在一个HKMG奈米制程产能CMOS逻辑过程不使用任何额外的掩蔽或流程步骤。这是通过使用一个由35 nm制接触孔35 nm制。滚珠开关

 

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没有额外的信息提前发布会上,但在线搜索揭示了清华研究小组先前曾与氧化钛ReRAMs为基础,通常是在一个锡/优化/二氧化硅多层结构坐在基地的钨接触塞附加到下水道的一个传统的平面MOSFET。

 

设计是特别紧凑相比其他类型的ReRAM数组和兼容常规逻辑制造流程。早在2010年,这个团队正致力于一种1 t-plus-1r ReRAM在90 nm CMOS逻辑和声称100万读写周期耐力。

 

这个数量的内存芯片包含在系统不断发展,变得越来越负责大部分的电力消耗。该设施来保存数据在浓密的非易失性内存,而不是在权力SoC消费SRAM甚至几个处理器周期——可以驱动功率储蓄在前沿的制造业。

 

事实上,CRRAM无需任何除了处理甲板表明一个潜在的容易引入芯片制造业。然而事实上,IEDM纸实质上仍是学术和书面的存储单元级别而不是在数组的水平表明,更多的研发是必须要做的。一个演示或投影的相当高耐力也将是可取的。

 

本文还提出了一个主题观看在另一个关键芯片收集、国际固态电路2月份会议。