滚珠开关厂家威世mosfet承诺在阻力最低

最新的8 v和20 v n沟道和p沟道mosfet TrenchFET权力从威世Intertechnology都声称该行业的最低在抵抗。
1毫米的mosfet进来由1毫米,直径为0.55毫米和1.6毫米,直径为1.6毫米,直径为0.6毫米的CSP微脚包,和目标电池或负荷开关在电源管理应用程序为便携式电子产品如智能手机、平板电脑和移动计算设备。滚珠开关厂家
这些设备的低电阻意味着低电压降穿过负荷开关可以防止不必要的低压停摆。
应用低电阻是更重要的空间,8 V n沟道Si8424CDB和- 20 V p沟道Si8425DB提供最大的20 mΩ上阻力和23 mΩ分别在4.5 V的栅极驱动。滚珠开关厂家
提供的设备在1.6毫米,直径为1.6毫米,直径为0.6毫米的CSP包。43 mΩ与最大在电阻为4.5 V,较小的1毫米1毫米,直径为0.55毫米的Si8466EDB 8 V n沟道MOSFET将用于应用程序空间更重要的导通电阻。这个Si8466EDB还提供了3000 v典型ESD保护。滚珠开关厂家
这个Si8466EDB和Si8424CDB提供在电阻评级降至1.2 V,允许设备来使用低电压门驱动器和较低的总线电压共同在手持设备,节省空间和成本的水平将电路。
这些设备都符合RoHS指令2011/65 /欧盟和无卤环保型按JEDEC JS709A定义。

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