TI揭示信封跟踪芯片为LTE

德州仪器已经公布了第一个信封追踪芯片,描述为“行业最有效的包络跟踪电源解决方案来支持3 g和4 g LTE多模、多波段射频功率放大器用于智能手机和平板电脑”。

包络跟踪,开创了由英国Nujira,提高效率至关重要的射频前端在多频带4 g LTE通信。

TI声称其LM3290降压转换器与集成直流提升和同伴LM3291线性放大器将削减功率放大器温度20摄氏度,减少一些总耗电量的25%,相比之下,系统使用平均功率跟踪。

芯片组的承诺来管理所有3 g和4 g LTE 20 MHz带宽和电池电压2.5 V的5 V。

集成直流提升转换器在LM3290还承诺提供的最大传输功率-支持更高的数据速率较低的LTE甚至电池电压水平。

接口是MIPI eTrak模拟差动前端界面跟踪和一个1.8 v的信封RFFE MIPI数字接口。

该设备也允许“无缝”之间的过渡包络跟踪和平均功率跟踪操作模式。

这个LM3290和LM3291支持最小带宽的75 MHz,TI则称其在使用包络跟踪、产业界首次提供高精度和良好的相邻信道泄漏率和噪声性能。

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