人员集成电路刻蚀到石墨烯
研究人员在加州大学圣芭芭拉介绍并模拟集成电路设计方案中,晶体管和互联是单片图案上的石墨烯。
该演示是声称要提供可能性节能、灵活和透明的电子产品。
根据大学、散装材料通常用于制造CMOS晶体管和互联构成基本挑战他们的特征尺寸不断缩小,遭受增加他们之间的接触电阻”,两者都导致降解性能和增长的能源消耗。
石墨烯晶体管和互联是一个有前途的纳米技术,有可能解决问题的传统硅晶体管和金属互联。
“除了它的自动和质朴的表面,石墨烯薄有可协调的带隙,它可以调节的模式——狭窄石印草图石墨烯带可以在更广泛的丝带半导体金属。因此,连续的石墨烯带可以设想从相同的起始物料设计都主动和被动的设备在一个无缝的时尚和更低的接口/接触电阻,Banerjee教授说Kaustav majumder电气和计算机工程和研究实验室的主任在UCSB纳电子学。
巴纳吉的研究团队还包括UCSB研究者嘉豪康,Deblina Sarkar和哈塔米亚辛。他们的工作是最近发表在《应用物理快报》。
“准确评估电气运输通过各种石墨烯带的连结和互联的基础设备,在其接口是我们成功的关键电路设计和优化,”Kang称,一个博士生在Banerjee集团和该研究的合作者。
Banerjee集团开创了一种方法使用非平衡格林函数(NEGF)技术性能的评价如此复杂的电路方案涉及许多异性恋的交叉点。这种方法被用于设计一个所有石墨烯逻辑电路本研究中报道。
在他们的研究报告,提出的所有石墨烯电路取得了1.7 x高噪声的利润和降低静态功耗1 - 2几十年在当前的CMOS技术。据巴纳吉,持续的全球努力在模式和掺杂的石墨烯,这些电路可以实现在不久的将来。
“我们希望,这项工作将鼓励和激励其他研究人员探索石墨烯和石墨烯以外新兴二维晶体设计这样的带隙设计的电路在不久的将来,“巴纳吉在一份声明中说。
他们的研究是由美国国家科学基金会的支持。
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