克里族揭示氮化镓HEMTs s波段雷达

克里族引入了两个新的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMTs)适合使用在2.9 - -3.5 ghz的s波段雷达放大器系统,包括:天气、空中交通控制、海洋、港口监视和搜救雷达的应用程序。

基于高功率密度50 v,0.4µm GaN对碳化硅(SiC)铸造过程和性能评价在85°C,400 w和150 w CGHV35150 CGHV35400F表现出高效、高功率增益、宽的带宽能力,和统一的高温性能。

CGHV35150特性典型输出功率150 w,13.5 db功率增益,和典型的排水效率50%。CGHV35400F特性典型输出功率400 w,10.5 db功率增益,和典型的排水效率60%。

150 w和400 w s波段GaN HEMTs指定在85°C,< 0.3 db脉冲幅度下垂特性。

此外,两个晶体管也脚印功能大大小于竞争砷化镓(砷化镓)或硅(Si)射频技术,使提高设计的灵活性。

400 w s波段GaN HEMTs提供陶瓷/金属法兰包和150 w设备可以提供在陶瓷/金属法兰或药丸包。

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