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飞兆半导体公司推出1200 V视场光阑沟IGBTs
发布者: 发布时间:2013/12/10 0:25:11 阅读:

飞兆半导体公司推出1200 V视场光阑沟IGBTs

 

 

 

飞兆半导体公司推出了一系列的1200 V视场光阑沟IGBTs。

针对hard-switching工业应用如太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和焊工,这个新的系列IGBT承诺帮助电力工程师取得更好的效率和可靠性的设计。

这个新1200 V视场光阑IGBT系列最小化传导损失通过VCE(SAT)的1.8 V,这远低于之前的fast-switching NPT IGBTs。

这些新设备有一个最低的VCE(坐)评级在1200 V fast-switching IGBT市场。的切换损失低EOFF 30µJ /下的价值。所有设备包含一个co-packed二极管优化的快速切换。

“新的、创新的电力电子技术需要帮助太阳能逆变器制造商降低成本,提高效率,提高可靠性,“MH Lee说,导演,在飞兆工业电力系统。“我们的1200 V视场光阑沟IGBT系列帮助客户推动更高的能源效率和可靠性高的太阳能逆变器的设计,并帮助制造商地址政府法规和满足他们的终端客户要求增加能源储蓄。”

1200 V视场光阑沟IGBT系列还允许设计师操作设备切换频率高于竞争解决方案,帮助减少成本的大小和电路中电容和电感元件。这导致系统设计与更高的功率密度,更小的尺寸和更低的材料成本。

本系列IGBT是100%测试夹感应开关在当前水平的四倍额定电流,以保证更大的安全操作区域(SOA)。

这些产品都是可以在较小的20毫米lead-length TO247包,比前家庭的TO264包,并提供15、25岁和40额定电流。

特点和优点:

低饱和压:VCE(坐)= 1.8 V @额定集电极电流(Ic)

高速开关:低EOFF = 27µJ /

大型SOA(100%感应负载切换测试;Ic评级ILM = 4倍)

简单的并行操作(正温度系数)

Tj = 175摄氏度(最大结温)

高输入阻抗

通过无铅认证

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