量子跃迁的晶体管

2013年12月13日

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美国研究人员已经开发出一种新型晶体管,他们声称能够快速和低功耗计算主机的应用程序

称为broken-gap附近隧道场效应晶体管(TFET),新设备使用量子力学隧道效应的电子通过一个超薄提供高电流低电压的能量障碍。

宾夕法尼亚州立大学,美国国家标准与技术研究院和以专业晶圆制造商,共同提出了他们的研究成果在国际电子设备会议在华盛顿,华盛顿特区

根据宾夕法尼亚州立大学,隧道场效应晶体管被认为是一个潜在的替代当前的CMOS晶体管,设备制造商寻找方式继续缩小晶体管的大小,包括更多的晶体管到特定区域。

目前的芯片技术面临的主要挑战是,随着规模减少,操作所需的功率晶体管不下降的一步。

结果中可以看到电池消耗更快,增加散热,可以伤害脆弱的电子电路。

各种新类型的晶体管结构使用材料以外的标准硅正在研究克服功耗的挑战。

在一份声明中作者和宾夕法尼亚州立大学研究生Bijesh Rajamohanan说:“这种晶体管以前已被在我们的实验室开发的替代MOSFET晶体管逻辑应用程序和解决电源问题。

在这个工作我们去超越一步,显示在高频率操作的能力,这是方便应用电力问题至关重要,如处理和传递信息的从设备内植入人体。

植入设备,产生过多的权力和热会损害被监控的组织,而耗尽电池需要频繁的置换手术。

教授领导的研究人员,Suman学电气工程,调整材料组成的砷化镓/砷化镓铟锑,能障是接近于零,或接近破碎的差距,使得电子隧道通过障碍时。

改善放大,研究人员所有联系人转移到同一架飞机顶部表面垂直的晶体管。

这个设备已经开发成一个大程序的一部分由美国国家科学基金会通过纳米系统先进的自供电的系统集成传感器工程技术研究中心和技术(NERC-ASSIST)。

协助项目的更广泛的目标是发展battery-free body-powered耐磨健康监测系统。

纸”,展示InGaAs / GaAsSb Broken-gap附近隧道场效应晶体管与离子= 740µa /µm通用= 700µs /µm和千兆赫切换性能在VDS = 0.5 v,“将在会议论文集出版IEDM。

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