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DC电源插座游隼揭开向UltraCMOS过程技术
发布者: 发布时间:2013/3/1 0:44:26 阅读:

DC电源插座游隼揭开向UltraCMOS过程技术

无生产线射频半导体供应商,游隼半导体推出最新版本的UltraCMOS过程技术:半导体技术平台8(向)。

 

向技术显示了36%的改进性能超过罗恩/ Coff顾不上技术只宣布一年以前大大提高线性度、插入损耗、隔离功能的芯片产品的游隼。

 

旗舰设备利用最新一代的技术包括竖琴UltraCMOS™SP16T射频开关和一个增强高度集成SP4T沙丘™增强型天线调谐开关,这两种可供采样。最初基于向SP16T射频开关演示了一个近40%萎缩行业领先的足迹的第五步建立对应。* SP4T天线调谐开关已在电阻1.5欧姆,插入损耗性能0.15 dB匹配在900 mhz的一个66%的改进在过去提供从游隼。*

 

“作为一个无生产线半导体公司,我们的独一无二的结合过程架构,电路设计和装置建模使加速技术路线图,”马克说,副总裁Miscione射频技术的解决方案对于外来的半导体。“这些结果进一步验证游隼的专业先进的射频实现过程开发和集成的承诺和高性能的射频前端。”

 

4 g LTE网络引入了重大挑战,智能手机的射频前端,包括一个支离破碎的射频频谱共存问题,导致乐队和其他连接之间的标准,如GPS、WiFi和蓝牙®®,。缺乏全球频率对准已经导致了超过40个LTE乐队现在确认。

 

“鉴于要求射频条件下,移动设备必须操作,演示能力满足下一代需求高线性度、低损耗和优化是成功的关键在射频组件市场,”弗朗西斯Sideco,高级首席分析师、消费电子和通讯技术在IHS。“公司谁可以提供创新那些界限是超越竞争对手强势定位。”

 

确保一致的、可靠的操作在LTE环境、移动无线设备设计者必须纳入高性能组件到射频前端的同时保持一个小形状系数。仅射频前端模块如那些UltraCMOS向使解决这些需求通过提供一个理想的组合的高线性度、低插入损耗在一个单一的、单片集成装置。

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