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拨码开关IC Insights:超过四分之一的晶圆产能致力于< 40 nm制程
超过四分之一的安装晶片能力在全球范围内致力于生产集成电路设备使用过程几何图形(或特征尺寸)小于40 nm,IC Insights的报道。
业务分析师还指出,一个惊人数量的能力仍然致力于成熟过程与“大”的特征尺寸,在其最新的报告中,全球晶圆产能2013 -一个详细的分析和预测的IC产业的晶圆工厂产能。
装机容量分为六类基于最小几何的过程用于晶圆。
六个类别的范围从< 40 nm;≥40 - < 60海里;≥60 nm - < 80海里;≥80 nm - < 0.2µ;≥0.2µ- < 0.4µ;≥0.4µ。
2012年底,全球约27%的晶圆产能是设备在几何图形小于40 nm。
这些设备包括高密度DRAM,通常建造使用30 nm - 20 nm类过程技术;高密度闪存设备是基于20 nm - 10纳米类流程;和高性能微处理器和先进的ASIC / ASSP / FPGA设备基于32/28nm或22纳米技术。
大约22%的全球能力致力于≥80 nm - < 0.2µ段,包括90海里,0.13,和0.18µµ过程代——“成熟”的过程,广泛采用纯代包括台积电、联电、GlobalFoundries,中芯国际,TowerJazz制造范围广泛的产品,他们的不同的客户基地。
最常见的技术,至少在术语的总装机容量的份额,是几何图形之间的80 nm和60 nm(基本上65海里一代)和在0.4和0.2µµ(本质上是0.25µ和0.35µ代)。
然而,值得注意的是,> 0.4µ类别保持一个相当大的份额,总容量,即使它已经超过15年0.5µ过程技术被认为是领先的。
主要原因是大量的商品类型设备如标准模拟和通用的逻辑与成熟技术制造过程有较大的然后0.4µ特征尺寸。此外,高压集成电路产品需要大型几何过程的技术。
三星、英特尔、东芝/ SanDisk,SK海力士,微米持有的最大数量的前沿的能力。
最大的能力持有者在大型功能流程类别(> 0.2µ)由几个模拟和混合信号芯片供应商,包括圣微,台积电、钛和英飞凌。
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