TriQuint提供新的GaN amplifers、晶体管和过程滚珠开关

TriQuint半导体宣布15个新的氮化镓(GaN)放大器、晶体管以及两个新的GaN流程。

这些产品提供性能、尺寸和耐久性的优势为通信、雷达和国防射频系统。

詹姆斯·l·克莱恩,副总裁和总经理对基础设施和国防产品、评论说甘的性能优势现在更接近射频制造商由于TriQuint的扩张的过程和产品解决方案。

Strategy Analytics指出研究员预计增长显著GaN。“虽然防守依然是最大的收入来源,基础设施是GaN快速增长。坐在com、电力和有线电视都在更高的收入。战略分析预测市场会越来越GaN微电子设备超过34%的复合增长率将由大约186美元,到2015年,”埃里克说,主任海厄姆半导体实践。

TriQuint的原始季度微米过程现在是由一个高电压变异补充,TQGaN25HV。新流程扩展排水工作电压0.25微米的氮化镓48 v同时提供更高的击穿电压、更大的功率密度和高增益的dc - 10 GHz的应用程序。

这些优势使更坚固耐用的设备可以承受电压驻波比不匹配,可能会破坏其他电路同时提供更多的射频输出功率。

一个新的TriQuint而设计的产品,这个过程是T1G4012036-FS / FL,120 w打包晶体管为雷达和基础设施。它是近三分之二小于类似LDMOS设备。

TriQuint已经采取GaN技术新的极限第三过程,TQGaN15。它将频率范围的氮化镓40 GHz而提供高功率密度和低噪声性能。

这个0.15微米碳化硅工艺上GaN用来创建TriQuint的新TGA2594(5 w)和TGA2595(10 w)ka波段VSAT地面终端放大器。

他们已经高达35%,三次PAE小于可比砷化镓(砷化镓)解决方案。

TriQuint的产品组合的新GaN解决方案还包括直接向董事会TAT9988 MMIC放大器为有线电视、光纤到户(FTTH)光学网络。

它是由第二代的原始TQGaN25 TriQuint的过程。根据公司的TAT9988引领行业的增益、复合变形性能和表面安装方便。

TriQuint的扩大范围的氮化镓创新是由其综合大会表扬服务,包括模水平设备包装、x射线和测试。TriQuint也是一个国防部认可“可信源对赣江和砷化镓,包括后处理测试和包装服务。 

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