为缩小电子半导体原子耳机插座

北卡罗莱纳州立大学的研究人员已经开发出一种新技术来创建高质量的半导体薄膜在原子尺度。

该技术可用于创建薄膜规模足够大,外套是2英寸宽圆片,或更大。

“这可能是用于缩放当前半导体技术到原子尺度-激光、发光二极管(led),电脑芯片,任何东西,”曹博士说,助理麟游3个县,材料科学与工程教授数控状态和资深作者的一篇论文的工作。

研究人员曾与硫化钼(二硫化钼),一个半导体材料与电子和光学性质类似于材料已经用于半导体行业。二硫化钼是不同于其他半导体材料,因为它可以生长在一个原子厚层在不影响其性能。

在新技术,研究人员地方硫和氯化钼粉在炉和提高温度到850°C,汽化的粉。这两种物质在高温下反应形成二硫化钼。虽然仍在高的温度,蒸汽然后放置在一个薄层到衬底。

“我们成功的关键是开发一种新的增长机制,一个自我限制增长,“曹在一份声明中说。研究人员可以精确管理的厚度层二硫化钼通过控制局部压力和蒸汽压力在炉。分压是原子或分子的倾向悬浮在空气中凝结成固体和解决到衬底。蒸汽压力是不劳而获的固体原子或分子在衬底蒸发,上升到空中。

创建一个层二硫化钼在衬底,局部压力必须高于蒸汽压力。分压越高,越层二硫化钼会沉入杯底。如果分压高于蒸汽压力仅有一层原子在衬底,但不高于蒸汽压力的两层之间的平衡分压和蒸汽压力可以确保薄膜生长自动停止一旦形成单层的。曹称之为“自限性”增长。

分压是由调整量的氯化钼在炉——钼在炉,较高的部分压力。

使用这种技术,我们可以创建圆片规模二硫化钼单层薄膜,一个原子厚的,每次,”曹说。我们也可以生产层,两个,三个或四个原子厚。”

曹操的团队正在努力寻找新的方法来创建类似的薄膜中的每个原子层是由不同的材料。曹,他已经申请专利的新技术,也致力于创建场效应晶体管和led的使用方法。

摘要“控制可伸缩的、高质量的合成均匀和几层单层二硫化钼的电影,已经发表在科学报告。

该论文的第一作者是NC州立大学博士Yifei玉。的合著者是春李博士,博士后研究员前数控状态;易Liu实验室经理在数控状态;Liqin苏博士和勇张的北卡罗莱纳大学夏洛特。这项研究是由美国陆军研究办公室。http://www.cxesw.com