山东DC插座Microsemi揭示非穿孔通过绝缘双极栅晶体管

Microsemi已经发布了其新一代的650伏特(V)非穿孔通过(NPT)绝缘栅双极晶体管(IGBTs),提供一个,70一个,45 95当前评级。

《不扩散核武器条约》IGBT产品族是专为在恶劣环境下的操作,特别适合于工业产品,如太阳能逆变器、焊工和开关模式电源。

Microsemi的新电力设备提高效率将这个行业最大的损耗性能大约8%比最接近的竞争对手的IGBT。

《不扩散核武器条约》IGBTs也使极高的开关速度高达150千赫),这是进一步提高当晶体管是搭配Microsemi的碳化硅(SiC)随心所欲的二极管。这些前沿650 v NPT IGBTs允许开发者降低整体系统成本更昂贵的替代600 v到650 v mosfet为低速度应用到150千赫。

所有的设备在下一代650 v系列产品是基于先进的功率MOS 8 Microsemi技术和利用先进的晶片稀释过程。这使得显著减少总开关损耗和允许设备工作在令人难以置信的快速切换频率相对于竞争解决方案。

Microsemi预计将扩大其市场份额的IGBT,从现在的36亿美元增长到60亿年的2018美元,根据最近的一份报告从Yole发展。

《不扩散核武器条约》IGBTs易于并行(正温度系数的Vcesat)来提高可靠性高电流模块。这些设备也短路承受时间额定(SCWT),提供在苛刻的工业环境下可靠运行。

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