重庆耳机插座红外辐照功率mosfet揭示R8

国际整流器启动了两个高性能R8辐射功率mosfet辐照空间优化级荷载点(POL)电压调节器的应用程序。

新R8逻辑电平功率场效应管利用槽技术提供极低的开态电阻(RDS())的12 milliohms(典型的)和总闸极电荷(成功之路上)18数控(典型的),增加效率性能高达6%,相比现有的解决方案。

这个设备有一个IRHLNM87Y20SCS BVDSS评级的20 v和最大漏电流(ID)评级的17一个。新的设备可以在红外的新SMD表面贴装0.2风格包,实现50%的节约空间比现有的SMD 0.5包解决方案。这些设备也提供一个到39包或模形式的微电路设计方案。

“提供业界领先的性能在最小的足迹,和优化设计,红外新波尔mosfet辐照的R8满足航天工业的需要减少总体系统的尺寸和重量,提高效率,”说Bussarakons Tiva,营销总监,红外的HiRel业务单元。

产品的完整描述的辐射性能到300 krads TID和看到的与让81电子伏cm2 / mg vg评级的12 v。根据既定设计轨道和预期的辐射环境,R8可能适合mosfet辐照对应用程序需要一个任务生活15年以上。

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