吉林拨码开关小说电阻存储器可以取代flash”

一个团队,她在加州大学河畔分校伯恩斯工程学院的已经开发了一个新的方式来构建许多认为下一代的内存存储设备为便携式电子设备。

该设备是基于原则的电阻存储器,用来创建内存细胞小,运行在更高的速度和提供更多的存储容量比闪存细胞,目前的行业标准。

根据一项声明,关键的进步,在加州大学河滨分校的研究建立一个氧化锌纳米岛在硅,不需要第二个元素称为选择器装置,它通常是一个二极管。

“这是一个重要的步骤是电子工业正考虑大规模采用电阻存储器作为替代闪存,”刘说Jianlin,电气工程教授在加州大学河滨分校作者之一、一篇论文的详细研究在科学报告。“这确实简化了这个过程,降低了制造成本。

闪存的标准在电子工业几十年。但是,正如闪光继续变小和用户想要更高的存储容量,它似乎接近尾声时,其寿命,刘在一份声明中说。

电阻式存储器是接收重要的注意力从学术界和电子行业,因为它有一个简单的结构,高密度集成、运行速度快,长耐力。研究人员还发现,电阻存储器可以缩减在子10纳米尺度。

电阻性记忆通常有一个金属氧化物金属结构联结在一个选择器装置。加州大学河滨分校的团队已经展示了一种新颖的替代方式,形成自组装氧化锌纳米群岛在硅。

使用导电原子力显微镜,研究人员观察到三种操作方式从相同的器件结构,基本上不再需要一个单独的选择器装置。

摘要-多模电阻开关在单一的氧化锌Nanoisland系统——是由静气,前访问学者刘的实验室,现在兰州大学副教授在中国;Olmedo马里奥,他拿到了他的博士学位,现在在加州大学河滨分校工作,和剑郭英特尔郑,实验室主任,电子和x射线仪器在加州大学欧文分校。

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