MOSFET削减能源消耗在智能手机

一个新的功率MOSFET,有助于降低功耗,延长电池的使用智能手机、平板电脑、可穿戴设备和高端笔记本电脑是由威世今天公布的根本。

新chipscale微脚p沟道Si8457DB提供了业界最低的阻力在1.8 V任何MOSFET栅极驱动1.6毫米,1.6毫米的足迹,是唯一这样的设备与vg =±8 V评级,它提供了一个额外的安全边际的锂离子电池驱动的应用程序。

设计用于电池开关和负荷开关电源管理应用程序,19 mΩSi8457DB特性导通电阻的-4.5 V,23.4 mΩ23.4 V,35 mΩ-1.8 V。

相比之下,下一个最好的设备DFN 1.6毫米平方包,评级为-1.8 V代表17%的改善。

设备的低导通电阻,评级降至-1.8 V,和±8 V vg提供安全裕度、栅极驱动设计的灵活性,对于大多数锂离子电池驱动的应用程序和高性能。

Si8457DB达到其产业界首次能力每地区由于其极低的导通电阻,使空间节省,同时还有助于降低电池功耗为移动应用程序。设备的低导通电阻意味着一个非常低的电压降在直流和脉冲峰值电流,因此减少电力浪费热量。

设备的导通电阻评级为-1.8 V简化了满足设计要求的任务,如适应低电池条件下或集成电路负载了gate-to-source电压。

Si8457DB关键构件在为移动电源管理一个有效的负荷开关。作为一个p沟道MOSFET的明显的优势能够打开,没有要求的电荷泵电路设计,它可以直接与大量的电源管理和控制器集成电路从不同的供应商。

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