红外汽车mosfet自夸基准性能

国际整流器启动AUIRFN8459,AUIRFN8458 40 v automotive-qualified COOLiRFET功率场效应管提供基准开态电阻(RDS(上))为汽车应用程序要求紧凑的尺寸和大电流性能包括泵电动机控制和汽车车身控制。

AUIRFN8459和AUIRFN8458第一家庭的automotive-qualified 5 x6mm双重PQFN基于红外最先进的功率mosfet COOLiRFET 40 v槽技术。

AUIRFN8459达到超低5.9莫姆Rds(每个通道)50基准性能和高载流能力。

“AUIRFN8459 AUIRFN8458 40 v 5 x6mm双重PQFN COOLiRFET设备提供超过50%的大小减少与传统相比DPAK(- 252)包,超低包电阻和电感和基准Rds(上),使它们适合12 v传统汽车的应用程序需要更高的效率和功率密度以及空间储蓄等电机控制,“Jifeng秦说,产品经理,汽车场效应管、红外的汽车产品业务单元。

新5 x6mm双重PQFN COOLiRFET设备还提供了一个低PCB热路径和重要的热性能改善相比,所以8包来提供更高的效率,提高功率密度和整体系统级成本节约。

红外的汽车场效电晶体受到动态和静态部分自动化晶圆级测试结合100%目视检查作为红外的汽车质量倡议的一部分针对零缺陷。AEC-Q101资格要求有不超过20%的Rds(上)1000年之后温度周期变化的测试。

新设备是根据AEC-Q101合格标准,环保特性,无铅,通过无铅认证材料清单。

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