氮化镓将成为核心技术

甘渥太华基于氮化镓的开发人员,系统说氮化镓急剧起飞,将成为核心技术在电力电子在未来三年内。

成立仅七年前,GaN系统已经开发出了大范围的氮化镓,基于其独特的岛技术的大功率晶体管设计。甘这些新设备提供了显著的优势,超过传统的硅mosfet和igbt,迎来更小、更轻、更高效的电力电子在许多工业、消费者和汽车应用,如datacentre电源、笔记本旅行适配器,空调汽车和电动汽车电池充电器和牵引电子产品。

该公司现在有一个大范围的设备基于公司的核心知识产权,岛的技术。这些电源转换装置将宽禁带半导体和优越的切换速度,温度,电压和电流的氮化镓成独特的结构的性能最大化晶片产量和生产高效晶体管小4倍和以较低的成本比传统设计方法。

岛的快速切换和密集的载流能力技术设备由GaN进一步增强系统的紧凑,附近chipscale GaNPX包装,没有线债券,降低电感和热阻,增加可靠性。甘第三科技创新的核心系统产品驱动帮助™,芯片上的驱动程序简化电路设计,去除米勒驾驶问题和提高开关速度。

“世界各地的电力系统工程师同意,GaN晶体管的可用性可能是IGBT以来最重要的进步在1990年代成为可用。能够减少功率损耗由50% - -90%或降低系统的尺寸和重量高达四分之一的原始大小会改变电力系统的设计和使用的方式。GaN系统行业领先的氮化镓功率晶体管使这种转变的开始。我们已经给全球市场带来了最广泛的氮化镓产品以独特的技术,使它轻易被整合到新一代电力电子。首席执行官吉姆说Witham GaN系统。

Witham继续说:“2014年以来最令人兴奋的和重大的年份之一公司的《盗梦空间》。甘与爱探听我们的全球分销协议现在电子产品提供系统的产品直接进入电子设计工程师的手中,我们在全球范围内增加了我们的员工,并取得了显著的任命在欧洲和亚洲副总裁级别,我们提出了技术论文或展出全球主要会议。今年早些时候,我们总部搬到新的扩展Kanata前提,渥太华的高科技区,所以我们会增加我们的实验室空间10倍,确保我们的研发中心整合了先进的自定义所需的设施和专用的电力和冷却系统充分发掘高功率应用程序和加速新产品的开发和测试。”