威世第一次与600 v mosfet

威世根本引入了前两个设备在其新600 V EF系列快速体二极管n沟道mosfet力量。

反向恢复电荷和较低的导通电阻,威世Siliconix SiHx28N60EF SiHx33N60EF增加可靠性和节省能源工业、电信、计算、和可再生能源的应用。

基于第二代超级结技术,今天发布的600 V快速体二极管场效电晶体提供了一个补充威世的现有标准E系列组件,扩大公司的提供的设备可以用在零电压开关(零电压)/软开关拓扑相移等桥梁和LLC转换器一半的桥梁。

SiHx28N60EF和SiHx33N60EF增加可靠性在这些应用程序提供了一个反向恢复电荷(Qrr)10倍低于标准的mosfet。这允许设备恢复块完整的击穿电压的能力更快,有助于避免失败从射穿和热负荷。此外,减少Qrr导致较低的反向恢复的损失相比,标准的mosfet。

提供四个包,28 SiHx28N60EF SiHx33N60EF功能极低的导通电阻和33 123Ω和98Ω,分别和低门。这些值转化为极低的传导和节约能源在大功率开关损失,高性能开关模式应用,包括太阳能逆变器、服务器和电信电力系统,ATX /银盒子PC smp,焊接设备、UPS、电池充电器、半导体资本设备,领导和HID照明。

设备被设计成能抵抗高能脉冲雪崩和变换模式,保证通过100%的ui测试的限制。场效应管是通过无铅认证和无卤。