英飞凌揭示OptiMOS快速二极管200 v和250 v

英飞凌科技公布了OptiMOS FD 200 v和250 v,最新一代的功率mosfet优化身体二极管整流。

设备承诺设备强度高,低电压过冲和反向恢复损耗降低,给最高系统可靠性尤其是硬切换应用程序如电信系统、工业电源、D类音频放大器、电动机控制(48 - 110 v系统)和DC / AC逆变器。

OptiMOS FD 200 v和250 v实现问rr相比减少40%标准OptiMOS 200 v和250 v。这意味着系统可靠性的一个重要飞跃通过降低电压超调,从而最小化需要缓冲电路。

“再次,英飞凌使得边界在200 v和250 v电压进一步类。设置新标准是让我们前进。OptiMOS FD的家庭我们继续利用的成功路径切换性能。这最新一代的功率mosfet节省客户工程造价和设计工作特别是在硬切换应用程序,“高级主管Richard Kuncic说系统直流/直流英飞凌科技。

场效电晶体显示改善硬变换强度,因此可以像更高更苛刻的条件下使用dv / dt,di / dt和电流密度相比,现有的200 v和250 v技术市场。这个结果在一个易于使用的设计过程简单。

此外设备提供高达45%的开态电阻(R DS(上))以及65%品质因数(FOM)减少而替代设备导致最高效率和功率密度。

OptiMOS FD 200 v组合由D²PAK R DS(11.7)mΩ并与R DS - 220(上)12 mΩ。OptiMOS FD 250 v组合包括与R DS - 220(上)22 mΩ。

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