“透明国际”公布40 v到100 v NexFETs

德州仪器引入了14功率mosfet - 220和儿子包支持输入电压从40 V到100 V。

高效NexFETs包括40-V 60-V、80 v和100 v n沟道的设备提供优良的热性能广泛的大电流电机控制及电源的应用程序。

的两个新80 v和100 v NexFET设备实现行业的最低on-resistance - 220包不牺牲高闸极电荷-给设计师更多的功率转换效率更高的电流。

CSD19506支持2.0 milliohms Rds(上)80 V的输入电压,而CSD19536达到2.3 milliohms Rds(上)100 V输入。两种产品功能塑料包高雪崩能力高压电机控制应用程序的支持。设计师也可以很容易地选择新产品的设计和模拟他们的权力通过访问电信的获奖WEBENCH在线设计工具。

TI还介绍了几个简单易用的评价模块根据其60-V NexFET产品。

步进电机pre-driver:DRV8711EVM评价模块是基于DRV8711步进电机控制器配NexFET设备驱动大电流双极步进电机或两个刷直流电机。

马达驱动BoosterPack:BOOSTXL-DRV8301工具包是一个10-A,三相无刷直流驱动阶段基于DRV8301 pre-driver——为那些学习无传感器无刷控制技术和设计驱动舞台设计。

数字功率:ucd3138psfbevm - 027允许电力开发人员设计一个数字控制,相移脱机,12-V 360 w电源转换器的应用程序。

Point-of-load控制:tps40170evm - 597 TI的评估板特性TPS40170同步降压控制器有两个NexFET设备。

震动开关http://www.cxesw.com