威世公布第一150 V n沟道MOSFET PowerPAK

威世根本已经制造出了最早的150 V n沟道MOSFET的紧凑、热增强PowerPAK sc - 70包。

提供该行业的最低on-resistance 10 V 2毫米的2毫米足迹,威世的Siliconix SiA446DJ旨在提高效率减少传导和切换损失在一个广泛的空间受限的应用程序。

primary-side切换的SiA446DJ优化隔离直流/直流转换器,提高转换器的LED背光,和同步整流和负载开关电源管理应用程序的权力在以太网(坡)PD开关、DC / DC电信砖,和便携式电子设备。

对于这些应用,PowerPAK sc - 70是55%小于3毫米2.8毫米TSOP-6包,同时提供热阻低40%。

建立在ThunderFET技术,最大177 mΩon-resistance SiA446DJ提供低10 V,185 mΩ7.5 V,和250年mΩ6 V . 10 V,设备的on-resistance 53%低于一代设备TSOP-6包中,而其典型on-resistance次闸极电荷灵敏值10 V是提高效率低54%。

此外,SiA446DJ提供on-resistance低于26%的最新竞争设备3毫米,2.7毫米SOT-23包。

扩展威世中压mosfet的组合紧凑、热增强包,SiA446DJ加入之前公布的100 V SiA416DJ PowerPAK sc - 70和100 V SiB456DK PowerPAK sc - 75。设备是RoHS-compliant,RG - UIS-tested无卤和100%。

拨码开关http://www.cxesw.com