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氮化镓在SiC晶体管提供63%的效率
发布者: 发布时间:2014/9/3 10:08:04 阅读:

氮化镓在SiC晶体管提供63%的效率

 

射频和微波产品供应商,MACOM引入了一个新的GaN SiC HEMT脉冲功率晶体管系列民用和军用雷达脉冲的应用程序。

 

magx - 000035 - 015000和magx - 000035 - 01500年代gold-metalized无与伦比的氮化镓在碳化硅功率晶体管优化各种射频功率放大器的应用程序。设备提供了一个典型的17 W峰值输出功率为15.5 dB的功率增益和63%的效率。这些高性能晶体管组装使用最先进的晶圆制造过程和提供高增益、效率、带宽、和强度对今天的多倍频程带宽要求的应用程序的需求。

 

“新甘15 W峰值功率晶体管脉冲驱动程序提供了一个通用的和高性能解决方案和电力应用程序在一个广泛的频率范围内,“保罗·比阿斯说产品经理。“设备的理想驱动级MACOM更高的功率晶体管GaN l波段和s波段脉冲雷达应用。”

 

操作的dc - 3.5 GHz频率范围,设备高度健壮的晶体管高电压故障和拥有600年的平均失效到达时间。产品都提供一个增强的法兰,铜/ W和无凸缘的,铜陶瓷外壳,提供优良的热性能。

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