防止汽车ecu反向电连接

 

DMP4015SPSQ 40 v p沟道MOSFET引入的二极管合并的目的是防止汽车电子控制单元(ecu)的风险反向电连接。

 

ecu中使用越来越多的汽车控制应用程序,一些车辆部署80 ecu,需要保护每一个需要一个简单的和具有成本效益的解决方案,这MOSFET。

 

DMP4015SPSQ MOSFET作为一个理想的二极管,允许电流流动时,电池是正确连接和阻塞当前电池时不小心连接在相反的方向。推动这种装置只需要最小数量的无源元件。相比之下n沟道mosfet要求一个电荷泵提供门驱动电压,增加复杂性,成本和组件。消除电荷泵的切换拓扑也避免了EMI排放问题。

 

雪崩崎岖DMP4015SPSQ是100% unclamped-inductive MOSFET开关(ui)测试,以确保将承受最坏的ISO7637能量脉冲会发生如果供应断开而驱动电感负载。DMP4015SPSQ低RDS(上),不到11 mΩ,确保功率损耗最小,导致低的温度下操作,这可以使热设计考虑,并提高可靠性。几场效应管的平行配置可以进一步减少功率损失,n2的一个因素。

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