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高速CMOS DDR sdram启动
发布者: 发布时间:2015/5/14 1:03:33 阅读:

高速CMOS DDR sdram启动

 

联盟记忆引入了新的高速CMOS双数据速率同步dram而言(DDR SDRAM)密度的256 Mb(AS4C32M8D1),512 Mb(AS4C64M8D1),和1 Gb(AS4C64M16D1)60-ball 8 mm由13毫米1.2毫米TFBGA包和66 -销TSOP二包,0.65毫米销。

 

设备提供可靠的不速之客,pin-for-pin-compatible替代的类似的解决方案在工业、医疗、通信、电信产品要求高内存带宽,它们特别适合于高性能PC应用程序中。AS4C32M8D1,AS4C64M8D1,AS4C64M16D1内部配置为四家银行32 m x 8位,64字x 8位,分别和64字x 16位。DDR sdram提供同步接口,操作从一个+ 2.5 V(±0.2 V)电源、铅(Pb)和无卤。

 

AS4C64M8D1,AS4C32M8D1 AS4C64M16D1特性快速的时钟频率200 MHz和166 MHz,提供在商业(0°C + 70°C)和工业+ 85°C(-40°C)的温度范围。DDR sdram提供可编程读或写破裂长度的2、4、8。汽车pre-charge函数提供了一个山顶行pre-charge发起最后的序列。易于使用的功能包括自动刷新或self-refresh,而可编程模式寄存器允许系统选择最合适的模式,从而最大限度地提高性能。

 

之外的AS4C32M8D1、AS4C64M8D1 AS4C64M16D1其投资组合,联盟的记忆现在提供了一个广泛的DDR sdram阵容,密度64 Mb、128 Mb、256 Mb、512 Mb,和1 Gb。联盟内存的客户,通过提供长期支持临终消除昂贵的重新设计(EOL)组件。此外,该公司不执行死收缩,从而使工程资源。

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