身体快速二极管n沟道mosfet提高可靠性

威世根本引入了三个设备在其新的600 V EF系列快速体二极管n沟道mosfet力量。

反向恢复电荷和较低的导通电阻,威世Siliconix SiHx21N60EF,SiHx47N60EF,SiHx70N60EF增加可靠性和节省能源工业、电信、计算、和可再生能源的应用。

基于第二代superjunction技术,600 V快速体二极管mosfet补充威世的现有标准E系列组件和扩大公司的提供的设备,可用于零电压开关(零电压)/软开关拓扑相移等桥梁和LLC转换器一半桥梁。

SiHx21N60EF SiHx47N60EF,SiHx70N60EF增加可靠性在这些应用程序提供了一个反向恢复电荷(Qrr)10倍低于标准的mosfet。这允许设备恢复块完整的击穿电压的能力更快,有助于避免失败从射穿和热负荷。

21 SiHx21N60EF提供四个包,而47 SiHx47N60EF和70年SiHx70N60EF都有两个。176 mΩ设备功能极低的导通电阻,65 mΩ,和38 mΩ、分别和低门。这些值转化为极低的传导和节约能源在大功率开关损失,高性能开关模式应用,包括太阳能逆变器、服务器和电信电力系统,ATX /银盒子PC smp,焊接设备、UPS、电池充电器、资本和半导体设备。

设备被设计成能抵抗高能脉冲雪崩和变换模式,保证通过100%的ui测试的限制。场效应管是通过无铅认证和无卤。

拨码开关http://www.cxesw.com