中压MOSFET设计提供了新的可能性

英飞凌科技,专业提供节能解决方案应用程序(如电信系统、不间断电源(UPS)、电机控制、工业电源、DC / AC逆变器,扩展了中压MOSFET组合与OptiMOS TM300 V。

OptiMOS 300 V帮助系统设计师提高功率密度和降低成本水平最高的可靠性。例如,在硬切换应用程序如AC / DC转换器OptiMOS 300 V削减能源损失了50%。这允许更高的开关频率,因此,被动组件和解决方案的大小减少。此外,OptiMOS 300 V电压上升空间可以提供更好的可靠性、安全性和易用性设计一个60 V电信整流器。阶段所需的数量在级联高压开关模式电源可以减少和110 V交流UPS现在可以实现。

“使用300 V屏蔽功能,英飞凌扩展了基准OptiMOS技术到目前为止非主流电压等级来支持发展的应用,如多级转换器,”理查德·Kuncic说副总裁和总经理业务线直流/直流英飞凌科技股份有限公司。“由于性能优越的OptiMOS技术和广泛的应用范围,我们预计这种电压等级电力MOSFET市场成为一个新的标准。”

将快速二极管技术,OptiMOS 300 V提供反向恢复电荷问rr相比低70%到下一个最好的替代设备。这一特点导致光滑的身体二极管行为和减少电压超调。OptiMOS 300 V - 220包提供了优秀的R DS(上)有超过58%低品质因数(FOM:R DS()x问g)相比其他可用的产品。这将直接转化为低传导损失和提高总体效率高电流应用,如电机控制。

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