集成渐变LTE-Advanced启动

本公司将信道衰落仿真集成到其4 g LTE-Advanced信号测试仪,MD8430A。新的数字基带衰落选项MD8430A转换为一个功能全面的衰落模拟器支持行业标准3 gpp-defined衰落的概要文件。

MD8430A衰落选项可以结合MD8430A,切割需要额外的硬件投资执行信号在现实的射频(RF)条件下测试。这是第一个LTE-Advanced与内置的衰落信号解决方案支持4 x4 MIMO下行配置。

高大的结构,如建筑物和树木,反射和散射传播的无线电波,实际上这意味着接收机接收多个多路径的原始信号到达不同的优势,和方向。LTE-Advanced的一个关键特性是多输入多输出(MIMO)天线系统,提高设备的性能,利用多路径。MIMO等测试设备,多径衰落效应必须准确地适用于每一个天线可再生的方式。

使用内部数字基带处理,在测试执行MD8430A适用于多路径效应,快速测试设计人员(RTD)软件为测试人员提供了一个集成环境创建和运行衰落仿真测试。支持LTE-Advanced特性,如载波聚合和MIMO,使MD8430A理想溶液在帮助芯片设计者构建下一代高性能移动设备。除了在RF测试设备连接,枯干的MD8430A选项还支持slow-clock数字接口来验证开始前在仿真环境中昂贵的ASIC设计生产。

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