低电压64兆位串行四轴I/O超闪光。

微芯片已经宣布了一种新的1.8V系列四分仪I/O超快闪记忆装置。SST26WF064C是一种低电压的64兆电子设备，它结合了双传输速率(DTR)和专有的超闪存和闪存技术，使其成为无线和电池供电的应用程序的理想选择。

DTR为客户提供了在时钟的两端输出数据的能力，从而降低了总体数据访问时间和功耗。SuperFlash技术也通过提供最快的擦除时间来降低功耗。SST26WF064C的典型芯片擦除时间在35到50毫秒之间，而竞争的闪存设备需要30秒才能消除。

SST26WF064C还集成了一个硬件控制的复位功能，使强大的设备复位。市场上的大多数串行闪存设备不支持硬件复位功能，因为在包上有pin-count限制。有了这个微芯片设备，客户可以选择重新配置这个复位功能的HOLD# pin。

在频率达到104 MHz的频率下，该设备可以实现最小延迟执行(XIP)功能，而不需要对静态随机访问存储器(SRAM)进行编码。这个新设备使用一个4位多路复用I/O串行接口来提高性能，同时保持标准的串行闪存设备的紧凑形式因子。SST26WF064C也支持完整的命令集兼容性与传统的串行外围接口(SPI)协议。

微芯片的高性能超闪存技术也意味着该设备是基于一个专有的分裂门闪存单元，提供额外的能力，如高耐力循环的高达100,000擦除/写周期，数据保留超过100年和最快的擦除时间。

开发人员可以使用Verilog和IBIS模型以及设备驱动程序开始设计SST26WF064C闪存。

SST26WF064C提供多种包装选项，包括8个接触式WDFN(6毫米x5毫米)、8-铅SOIJ (5.28 mm)、16铅SOIC (7.50 mm)和24球TBGA(8毫米x6毫米)。

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