可伸缩的SiC MOSFET驱动程序加速客户设计

Microsemi和模拟设备宣布了一种可伸缩的碳化硅驱动器参考设计方案，该方案基于一系列Microsemi SiC MOSFET产品和模拟设备的ADuM4135 5KV隔离栅极驱动器。

双SiC MOSFET驱动程序参考设计提供了用户友好的设计指南，使使用Microsemi SiC MOSFETs的客户能够更快地进入市场，并支持过渡到Microsemi的下一代SiC MOSFETs。

新的参考设计为客户提供了一个高度隔离的SiC MOSFET双栅驱动开关，为评估SiC MOSFETs在许多拓扑中的性能提供了一种手段。这包括对具有同步死时间保护的半桥切换和无保护的异步信号传输进行优化的模式。它还可以配置为提供并发驱动器，要求研究无钳位感应开关(UIS)或双脉冲测试。该参考设计是为微半SiC MOSFET离散器件和模块开发的，并作为一个工程工具评估其SiC器件的组合。该板支持修改栅极电阻值，以适应大多数微半导体元件和模块。

Microsemi的战略营销经理Jason Chiang说:“双SiC MOSFET驱动程序参考设计不仅能让Microsemi客户加速他们的产品开发工作，还能适应我们下一代SiC MOSFET的推出，以确保最终用户平稳过渡。”“在电力电子设计方面采取全局性观点的客户可以利用我们新的SiC驱动程序解决方案来为他们的设计选择最佳的驱动程序和组件，并能够根据他们特定的SiC MOSFET需求进行扩展。”

双重SiC MOSFET驱动程序参考设计非常适合广泛的终端市场和应用程序,包括航空航天(驱动、空调、配电)、汽车(混合动力/电动车辆动力系统、电动汽车电池充电器、DC-to-DC转换器,和能量回收),国防(电源和大功率电动机驱动)、工业(光伏逆变器、电机驱动器、焊接、不间断电源、开关电源、感应加热和石油钻井)和医疗(MRI和x光电源)。

作为加速生态系统的一部分，模拟设备与Microsemi合作，旨在为终端客户缩短市场时间，为生态系统参与者缩短收入时间。Microsemi的加速生态系统汇集了硅、知识产权、系统、软件和设计专家，为最终客户提供经过验证的董事会和系统级解决方案。

SiC产品提供了许多优势，包括提高系统效率，在相同的物理尺寸下提高25- 50%的功率输出，在绝缘栅比皮拉晶体管(IGBTs)上提高开关频率的效率，降低系统尺寸和重量，在温度(+175摄氏度)下运行稳定性和显著的冷却成本节约。

市场研究公司Yole development ement预计，SiC电力市场在2021年将超过5.5亿美元，2015-2021年复合年增长率(CAGR)为19%。该公司还描述了SiC的好处如何影响新产品和SiC技术的发展。Microsemi很好地适应了这些趋势，其SiC MOSFETs比传统的硅功率MOSFETs提供了优越的动态和热性能。在Microsemi公司的MSCSICMDD/REF1 SiC MOSFET驱动程序参考设计中加入模拟设备ADuM4135隔离SiC驱动程序解决方案，进一步增强了公司满足客户产品开发需求的能力。

模拟设备的隔离栅极驱动具有DESAT和许多其他保护特性，提供了强大的栅极驱动能力(6A)，并具有鲁棒的电气隔离，这对于高电压功率转换系统的长寿命和安全运行至关重要。与使用光电耦合器或脉冲变压器的设计相比，该公司的隔离栅驱动程序组合提供了设计人员的性能和可靠性优势。利用模拟设备的经过验证的iCoupler技术，隔离栅驱动器系列在宽频带隙设备，特别是SiC MOSFETS的高电压和高开关速度应用中提供了许多关键的好处。其中包括优于50 ns的优越传播延迟，小于5ns的通道对通道匹配，比>100KV/us的普通模式瞬态免疫(CMTI)，以及在单个包中支持高达1500V DC的寿命工作电压的能力。

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