东芝和SanDisk构建3 d NAND设施

东芝是拆除其半导体制造设备——工厂2 -四日市操作,在三重县公司的NAND闪存工厂,日本,代之以一个新的工厂在同一个网站。

东芝与SanDisk投资新设施将提供安全的空间转换现有的东芝和SanDisk 2 d NAND能力3 d NAND开始于2016年。

拆迁工作开始与建设5月2014年9月开始。公司目标完成建设2015年夏天。

洁净室在新的工厂将建在阶段使洁净室投资与2 d转换的时机与非3 d NAND的能力。

最初的洁净室建设将在2016年完成输出。决策能力转换斜坡和设备投资,开始生产,在新工厂生产水平将反映市场趋势。

新工厂将为过程提供辅助设施主要致力于3 d NAND内存生产,和密切合作四日市的其他设施。东芝和SanDisk将支持3 d内存生产对光刻技术领先的制造设备,沉积和蚀刻通过合资企业。

康夫Naruke,公司东芝公司高级副总裁和总裁兼首席执行官半导体&存储产品的公司,说:“我们决心开发先进技术突显出我们的承诺应对NAND闪存的持续需求。我们有信心,我们与SanDisk合资将使我们在四日市生产成本竞争力的下一代记忆。”

SanDisk,桑杰•梅赫罗特拉总裁兼首席执行官,说:“我们很高兴继续我们长期与东芝合作在这个新的晶圆工厂,这将促进我们的领导到3 d NAND内存技术时代。”

新工厂将有一个地震吸收结构和一个环保设计,包括LED照明在整个建筑。

它还将配备最新的节能生产设备,这将确保生产力进步,同时降低功耗。高效利用废热将有助于降低燃料消耗和减少15%的二氧化碳排放量与工厂5相比,目前最先进的工厂四日市站点。

东芝和SanDisk将通过合资企业投资效率最大化转变为充分利用3 d NAND的四日市站点。展望未来,公司将继续共同开发先进的工艺技术,并使投资以满足市场需求。

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