英飞凌揭示650 v反向进行IGBT

英飞凌科技延长了最新一代的反向进行IGBTs(绝缘栅双极型晶体管)共振应用程序与一个新的650 v组件包括一个单片集成RC二极管。

这意味着产品的高性能RC-H5家庭明显现在可以用于广泛的应用:新的离散RC-H5 650 v电源半导体是完美的选择用于multi-hob感应炉和inverterized微波炉,以及为所有部分hard-switching网格拓扑。

离散的650 v电源半导体也区分本身在能源效率比前几代人。切换损失降低了30%。这允许设计师与开关频率高达40 khz。完全新设计的离散功率半导体元件的特点是更好的能源效率导致整个系统的能源消耗5%的储蓄。

系统操作的基础上RC-H5 650 v也显著提高可靠性由于闭锁电压的增加使更多的设计余量。650 v的能力组件提供软或硬切换的要求不仅使用更大的灵活性,但也意味着更少的压力系统作为一个整体。改进的EMI新组件的行为,也是一个很大的益处很快和软交换系统所需的过滤就会更少。此外,优化热性能使无故障操作环境温度高达175°C。

“感应烹饪持有家用电器节能的巨大潜力和环境效益,”罗兰说石碑,营销总监IGBT功率分立器件在英飞凌科技。“新的离散RC-H5 650 v英飞凌扩展范围的产品家用电器使我们的客户能够开发高度可靠的系统,需要更少的资源。”

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